[发明专利]多晶硅栅干法刻蚀中收缩关键尺寸的方法有效
| 申请号： | 201310337025.6 | 申请日： | 2013-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN103441071A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 高慧慧;杨渝书;秦伟;李程 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;G03F7/40 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅栅干法刻蚀中收缩关键尺寸的方法，其中，包括如下步骤：将曝光、显影后的晶圆置于背烘装置的底板上；同时对上述曝光、显影后的晶圆进行背烘和电子束轰击，并根据工艺需要控制光阻收缩率；光阻收缩率满足工艺需要后，对上述曝光、显影后的晶圆停止背烘和电子束轰击；将上述停止背烘和电子束轰击的曝光、显影后的晶圆冷却至常温，之后进行后续工艺。本发明具有如下优点或者有益效果：通过电子束与背烘结合的方法，能快速收缩光阻，并能有效控制光阻收缩程度，满足工艺需求；同时增强了光阻的抗刻蚀能力，有效提高了刻蚀的选择比，在达到同样刻蚀目的效果时所需要的光刻胶的厚度减薄，从而节省光刻胶，减少了资源浪费。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 硅栅干法 刻蚀 收缩 关键 尺寸 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅栅干法刻蚀中收缩关键尺寸的方法，其特征在于，包括如下步骤：将曝光、显影后的晶圆置于背烘装置的底板上；同时对上述曝光、显影后的晶圆进行背烘和电子束轰击，并根据工艺需要控制光阻收缩率；光阻收缩率满足工艺需要后，对上述曝光、显影后的晶圆停止背烘和电子束轰击；将上述停止背烘和电子束轰击的曝光、显影后的晶圆冷却至常温，之后进行后续工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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