[发明专利]监控集成电路制造中离子注入工艺的方法无效
| 申请号： | 201310337546.1 | 申请日： | 2013-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN103500718A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 桑宁波;贺忻;雷通 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种监控集成电路制造中离子注入工艺的方法，所述方法包括以下步骤：提供一需要进行离子注入工艺的半导体衬底和该离子注入工艺所允许形成的非晶层的厚度值范围；对上述的半导体衬底进行所述离子注入工艺后，于所述半导体衬底上形成器件区域和测试区域；获取所述测试区域中形成的离子注入区域的第二厚度值，并将该第二厚度值与所述厚度值范围进行比较，以判断是否继续该半导体衬底的后续工艺。由于本发明方法中的测试区域是与器件结构在同一离子注入工艺中同时形成的，因此其能够客观反应采用离子注入工艺所形成的器件结构的真实情况。 | ||
| 搜索关键词： | 监控 集成电路 制造 离子 注入 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种监控集成电路制造中离子注入工艺的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： 提供一需要进行离子注入工艺的半导体衬底和该离子注入工艺所允许形成的非晶层的厚度值范围； 对上述的半导体衬底进行所述离子注入工艺后，于所述半导体衬底上形成器件区域和测试区域； 获取所述测试区域中形成的离子注入区域的第二厚度值，并将该第二厚度值与所述厚度值范围进行比较，以判断是否继续该半导体衬底的后续工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
