[发明专利]电熔丝结构有效
申请号: | 201310338360.8 | 申请日: | 2013-08-05 |
公开(公告)号: | CN104347590B | 公开(公告)日: | 2017-09-26 |
发明(设计)人: | 孙光宇 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L23/525 | 分类号: | H01L23/525 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种电熔丝结构,包括多个电熔丝结构单元,电熔丝结构单元包括衬底;位于衬底上的第一电极和与第一电极相连的第一电熔丝;位于衬底、第一电极和第一电熔丝上的介质层;位于介质层内、并与第一电熔丝电连接的导电插塞;位于介质层上的第二电极和与第二电极相连的第二电熔丝,第二电熔丝与导电插塞电连接,第一电极、第二电极中一个为阳极、另一个为阴极;至少有两个电熔丝结构单元共用一个阴极,且共用一个阴极的多个电熔丝结构单元位于阴极的同一侧。由于多个电熔丝结构单元共用阴极,减小了电熔丝结构占据集成电路芯片的面积,使集成电路芯片中金属互连结构的布局设计有更多选择。 | ||
搜索关键词: | 电熔丝 结构 | ||
【主权项】:
一种电熔丝结构,其特征在于,包括多个电熔丝结构单元,所述电熔丝结构单元包括:衬底;位于所述衬底上的第一电极和与第一电极相连的第一电熔丝;位于所述衬底、第一电极和第一电熔丝上的介质层;位于所述介质层内、并与所述第一电熔丝电连接的导电插塞;位于所述介质层上的第二电极和与第二电极相连的第二电熔丝,所述第二电熔丝与导电插塞电连接,所述第一电极、第二电极中一个为阳极、另一个为阴极;至少有两个所述电熔丝结构单元共用一个阴极,且共用一个阴极的多个所述电熔丝结构单元位于所述阴极的同一侧;共用一个阴极的电熔丝结构单元的第一电熔丝一侧设有第一伪电熔丝,且所述共用一个阴极的电熔丝结构单元的所有第一电熔丝位于第一伪电熔丝的同一侧,所述第一伪电熔丝和第一电熔丝位于同一层。
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