[发明专利]一种用于制备金属/介质纳米多层膜高质量断面的方法有效
| 申请号： | 201310340709.1 | 申请日： | 2013-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN103399459A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 罗先刚;赵泽宇;王彦钦;王长涛;沈同圣;刘利芹;胡承刚;黄成;杨磊磊;潘思洁;崔建华;赵波 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 杨学明;李新华 |
| 地址： | 610209 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于制备金属/介质纳米多层膜高质量断面的方法，其步骤为：在基底上制备平面或曲面金属/介质纳米多层膜；在多层膜上旋涂光刻胶，前烘，得到样片；用玻璃刀在样片背面划痕，掰断，得到多层膜粗糙断面；在断口边缘处进行掩模移动曝光；显影、坚膜，得到截面边缘平整的光刻胶掩蔽层；坚膜后的样片放入离子束刻蚀设备中，选择合适的离子束流和角度进行刻蚀；刻蚀后，取出样片，去除样片上剩余的光刻胶，金属/介质纳米多层膜高质量断面制作完成。基于离子束流刻蚀制备金属/介质纳米多层膜断面的方法，能得到边缘整齐、低缺陷的金属/介质纳米多层膜高质量断面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 制备 金属 介质 纳米 多层 质量 断面 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制备金属/介质纳米多层膜高质量断面的方法，其特征在于以下步骤：步骤1：在洁净的基底表面制备平面或曲面金属/介质纳米多层膜；步骤2：在多层膜上旋涂光刻胶，前烘，得到样片；步骤3：用玻璃刀在样片背面划痕，掰断，得到金属/介质纳米多层膜粗糙断面；步骤4：在断口边缘小于100μm处进行掩模移动曝光；步骤5：显影、坚膜，得到截面边缘平整的光刻胶掩蔽层；步骤6：坚膜后的样片放入离子束刻蚀设备中，选择合适的离子束流和角度进行刻蚀；步骤7：离子束刻蚀完成后，取出样片，去除样片上剩余的光刻胶，金属/介质纳米多层膜高质量断面制作完成。
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