[发明专利]基于高阻材料的电场传感器封装元件有效

专利信息
申请号: 201310340888.9 申请日: 2013-08-07
公开(公告)号: CN103633036A 公开(公告)日: 2014-03-12
发明(设计)人: 夏善红;闻小龙;陈贤祥;彭春荣;杨鹏飞;方东明 申请(专利权)人: 中国科学院电子学研究所
主分类号: H01L23/29 分类号: H01L23/29
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 戎志敏
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种基于高阻材料的电场传感器封装元件,包括:基板;第一封装框,固定于所述基板;第一封装盖,固定于所述封装框;至少一个电场传感器芯片位于所述基板、第一封装框和第一封装盖形成的内腔内;其中,所述基板、第一封装框第一封装盖中的至少一种是电阻率大于或等于108Ω·cm的高阻值材料。本发明可以保证电场准确测量,并为环境适应性这一关键问题的解决提供了一种重要的途径,提高了电场探测的稳定性和可靠性。
搜索关键词: 基于 材料 电场 传感器 封装 元件
【主权项】:
一种基于高阻材料的电场传感器封装元件,包括:基板;第一封装框,固定于所述基板;以及第一封装盖,固定于所述封装框;至少一个电场传感器芯片位于所述基板、第一封装框和第一封装盖形成的内腔内;其中,所述基板、第一封装框第一封装盖中的至少一种是电阻率大于或等于108Ω·cm的高阻值材料。
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