[发明专利]用于固化电介质膜的多步系统和方法无效
| 申请号： | 201310341426.9 | 申请日： | 2006-10-06 |
| 公开（公告）号： | CN103489813A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 刘俊军;埃里克·M·李;多雷尔·L·托玛 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 康建峰;贾萌 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于使电介质膜固化的多步系统和方法，其中该系统包括被配置成用于减少电介质膜中的污染物(例如水分)的量的干燥系统。该系统还包括与干燥系统耦合的固化系统，该固化系统被配置成通过紫外(UV)辐射和红外(IR)辐射处理电介质膜来固化该电介质膜。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 固化 电介质 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种处理衬底上的电介质膜的方法，包括：通过下述处理固化所述衬底上的所述电介质膜：将所述电介质膜暴露于红外(IR)辐射，所述红外辐射包括窄波段辐射；和将所述电介质膜暴露于紫外(UV)辐射。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
