[发明专利]一种大功率压接式IGBT封装模块有效
| 申请号： | 201310341881.9 | 申请日： | 2013-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN103545269A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 苏莹莹;张朋;刘文广;韩荣刚;包海龙;张宇;刘隽;车家杰 | 申请（专利权）人： | 国家电网公司;国网智能电网研究院;国网上海市电力公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/29;H01L23/06;H01L23/10;H01L23/48;H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 100031 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及微电子封装技术领域，具体涉及一种大功率压接式IGBT封装模块。上端盖子、子模块、门极针、下端底座，上端盖子盖于下端底座上，所述子模块设置于上端盖子和下端底座之间，所述门极针设置于下端底座中绝缘底板的凹槽内。所述子模块包括顶部钼片、芯片、底部钼片、导电银片和PBI高性能塑料框架，在所述PBI高性能塑料框架的槽面内顶部钼片、芯片、底部钼片和导电银片自上到下依次压接，所述顶部钼片的上表面与上端盖子的下表面电极接触，所述子模块里导电银片的下表面与下端底座中凸台的上表面压接。本发明具有制作和装配更加简便、连接的可靠性更好、散热性能更好等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 压接式 igbt 封装 模块 | ||
【主权项】：
一种大功率压接式IGBT封装模块，其特征在于，所述IGBT封装模块包括上端盖子、子模块、门极针和下端底座；所述上端盖子盖于下端底座上，所述子模块设置于上端盖子和下端底座之间，所述门极针设置于下端底座中绝缘底板的凹槽内。
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