[发明专利]一种利用可重复使用的衬底制备多晶硅薄膜的方法有效
申请号: | 201310342034.4 | 申请日: | 2013-08-07 |
公开(公告)号: | CN103426976A | 公开(公告)日: | 2013-12-04 |
发明(设计)人: | 陈诺夫;辛雅焜;何海洋;吴强;弭辙;白一鸣;高征 | 申请(专利权)人: | 华北电力大学 |
主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20 |
代理公司: | 北京麟保德和知识产权代理事务所(普通合伙) 11428 | 代理人: | 周恺丰 |
地址: | 102206 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了属于多晶硅薄膜技术领域的一种利用可重复使用的衬底制备多晶硅薄膜的方法。在涂覆石墨薄膜的陶瓷板上,沉积多晶硅薄膜,采用退火方法分离多晶硅薄膜与衬底,制备出多晶硅薄膜。陶瓷板经涂覆石墨薄膜后可重复沉积多晶硅薄膜。本发明方法选用高质量的陶瓷板作为衬底,将多晶体硅薄膜从衬底上分离,可重复利用优质衬底;大大降低了太阳电池制备成本,优化了生产工艺。同时克服了由于廉价衬底带来的杂质扩散,衬底与薄膜的不匹配,薄膜中高缺陷密度等缺点,可以减小沉积或结晶时多晶硅薄膜的应力,多晶硅薄膜的质量也将提高。 | ||
搜索关键词: | 一种 利用 重复使用 衬底 制备 多晶 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
一种利用可重复使用的衬底制备多晶硅薄膜的方法,其特征在于:步骤如下:步骤1:以陶瓷板为衬底;步骤2:在衬底上涂覆石墨薄膜,石墨薄膜的厚度为1‑10微米;步骤3:在涂覆石墨薄膜的衬底上采用化学气相沉积方法制备多晶硅薄膜;步骤4:采用退火方法使多晶硅薄膜与衬底分离;步骤5:分离后的陶瓷板衬底用来再重复沉积多晶硅薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华北电力大学,未经华北电力大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310342034.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种车厢伸缩式矿用防爆胶轮车
- 下一篇:一种汽车发动机盖支撑杆隔热结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的