[发明专利]一种包括形成薄膜电容器的方法有效
| 申请号： | 201310342049.0 | 申请日： | 2007-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN103632843A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | H·佘;Y·闵;C·A·帕拉杜斯 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01G4/33 | 分类号： | H01G4/33;H01G4/06;H01G4/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王洪斌 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 申请涉及用于薄膜电容器制作的溶胶-凝胶及掩模图案化，由此制作的薄膜电容器，以及含有薄膜电容器的系统，提供了一种形成薄膜电容器的工艺，包括：在第一电极上对介电薄膜的溶胶-凝胶图案化，剥离去除不需要的介电薄膜，以及给介电薄膜配上第二电极。薄膜电容器沿着其特征尺寸定义的线呈现出基本上均匀的热变形态。还公开了包括该薄膜电容器的计算系统。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 包括 形成 薄膜 电容器 方法 | ||
【主权项】：
一种包括形成薄膜电容器的方法，包括：在第一电极上图案化掩模；在所述第一电极和所述掩模上形成绿色介电膜，绿色介电膜的厚度在0.5微米至30微米的范围内；剥离所述掩模以获得正图案绿色介电膜；以及在剥离所述掩膜后，烧结所述正图案绿色介电膜以获得已烧结的电介质。
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