[发明专利]半导体器件的形成方法

摘要

一种半导体器件的形成方法，该器件包括PMOS和NMOS金属栅极晶体管，该方法包括提供衬底，衬底包括PMOS和NMOS晶体管区域；分别在PMOS、NMOS晶体管区域上形成一体结构的第一、第二伪栅极结构，第一、第二伪栅极结构分别包括第一、第二伪栅极；去除第一伪栅极，并在第一伪栅沟槽内形成第一金属栅极之后，利用第一干法刻蚀去除第二伪栅极，第一干法刻蚀包括主刻蚀和过刻蚀，过刻蚀所采用的气体包括氦气，且在过刻蚀步骤中用于产生等离子体的射频电源断续地打开；在第二伪栅沟槽内形成第二金属栅极，第一金属栅极的侧壁与第二金属栅极的侧壁接触。利用该方法可以提高NMOS金属栅极晶体管的TDDB性能。

主权项

一种半导体器件的形成方法，所述半导体器件包括PMOS金属栅极晶体管和NMOS金属栅极晶体管，其特征在于，所述形成方法包括：提供衬底，所述衬底包括PMOS晶体管区域和NMOS晶体管区域；在所述衬底的PMOS晶体管区域上形成第一伪栅极结构、NMOS晶体管区域上形成第二伪栅极结构，所述第一伪栅极结构包括第一栅介质层和位于第一栅介质层上的第一伪栅极，所述第二伪栅极结构包括第二栅介质层和位于第二栅介质层上的第二伪栅极，所述第一伪栅极结构和第二伪栅极结构为一体结构；在所述衬底的PMOS晶体管区域和NMOS晶体管区域上形成层间介质层，所述层间介质层的上表面与第一伪栅极及第二伪栅极的上表面齐平；去除所述第一伪栅极，以形成第一伪栅沟槽；在所述第一伪栅沟槽内形成第一金属栅极；形成所述第一金属栅极之后，利用第一干法刻蚀去除所述第二伪栅极，以形成第二伪栅沟槽，所述第一干法刻蚀包括主刻蚀和主刻蚀后的过刻蚀，所述过刻蚀步骤所采用的气体包括氦气，且在所述过刻蚀步骤中用于产生等离子体的射频电源断续地打开；在所述第二伪栅沟槽内形成第二金属栅极，所述第一金属栅极的侧壁与第二金属栅极的侧壁接触。