[发明专利]一种高纯硅的精炼装置及其方法有效

专利信息
申请号: 201310342874.0 申请日: 2013-08-08
公开(公告)号: CN103387236A 公开(公告)日: 2013-11-13
发明(设计)人: 罗学涛;黄柳青;赖慧先;卢成浩;方明;陈娟;李锦堂 申请(专利权)人: 厦门大学
主分类号: C01B33/037 分类号: C01B33/037
代理公司: 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 代理人: 马应森
地址: 361005 *** 国省代码: 福建;35
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摘要: 一种高纯硅的精炼装置及其方法,涉及一种硅的精炼装置及其方法。提供低成本、高效、工艺简单和适合产业化推广的一种高纯硅的精炼装置及其方法。所述装置设有中频感应熔炼炉、升降装置、等离子熔炼装置、透气塞装置、真空系统和浇注用石墨模具。将硅料放入坩埚中,抽真空后启动熔炼炉对硅料加热;熔化后提高熔炼炉功率,使硅液在1600~1850℃保温;通入工作气体熔炼;启动熔炼装置,引弧后,将引弧装置转移,对硅液表面进行等离子熔炼;熔炼完成后关闭熔炼装置,透气塞降至坩埚底部,当透气塞降至坩埚底部后关闭透气塞装置,停止通气;将硅液倒入浇注用模具中,即得高纯硅锭。
搜索关键词: 一种 高纯 精炼 装置 及其 方法
【主权项】:
一种高纯硅的精炼装置,其特征在于设有中频感应熔炼炉、升降装置、等离子熔炼装置、透气塞装置、真空系统和浇注用石墨模具;所述中频感应熔炼炉设有炉盖、石墨坩埚和中频感应线圈,升降装置设在炉盖上,中频感应线圈设于石墨坩埚的外侧,在中频感应线圈与石墨坩埚之间设有保温层;所述等离子熔炼装置设有等离子枪和引弧装置,引弧装置与等离子枪均固定于炉盖上,等离子枪可垂直移动,等离子枪上设有冷却水进口、冷却水出口和氩气进口;所述透气塞装置设有透气塞、导杆和传动装置,透气塞与传动装置连接,透气塞和传动装置位于石墨坩埚底部,导杆与透气塞底部连接,透气塞设有气体管道用于通入工作气体,气体管道顶部设有出气口,透气塞可在传动装置带动下垂直升降;所述真空系统设有机械旋片泵与罗茨泵,中频感应熔炼炉通过罗茨泵与机械旋片泵连接;所述浇注用石墨模具设有4块石墨片。
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