[发明专利]减小光刻胶图形线宽粗糙度的方法在审
| 申请号： | 201310342919.4 | 申请日： | 2013-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN104345568A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;张城龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种减小光刻胶图形线宽粗糙度的方法，包括：将表面设有光刻胶图形的基底置于真空室中；用带状离子束对光刻胶图形进行离子注入，以减小光刻胶图形的低频线宽粗糙度。进行离子注入之后，光刻胶图形的低频线宽粗糙度会显著地减小。 | ||
| 搜索关键词： | 减小 光刻 图形 粗糙 方法 | ||
【主权项】：
一种减小光刻胶图形线宽粗糙度的方法，其特征在于，包括：将表面设有光刻胶图形的基底置于真空室中；用带状离子束对光刻胶图形进行离子注入，以减小光刻胶图形的低频线宽粗糙度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310342919.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种三维点云中的多平面自动识别方法
- 下一篇：山区SAR图像的匹配方法及系统
