[发明专利]一种基于金属钌修饰的多孔硅表面金属电极制备方法有效
| 申请号： | 201310343200.2 | 申请日： | 2013-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN103367134A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 李伟;余锋;廖家科;郭安然;王冲;蒋亚东 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;H01L21/28 |
| 代理公司： | 成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐丰;杨保刚 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于金属钌修饰的多孔硅表面金属电极制备方法，属于半导体光电子材料与器件技术领域，其包括以下步骤：①对多孔硅进行金属修饰前处理；②使用氯化钌的酸溶液修饰多孔硅；③对金属钌修饰后的多孔硅进行干燥处理；④在金属钌修饰后的多孔硅表面沉积金属电极；⑤快速退火；光刻形成指定电极形状。本发明利用贵金属修饰的原理，经过氧化处理，在多孔硅表面形成一层金属钌颗粒和氧化硅的过渡层，再蒸镀金属电极，可提高多孔硅与金属电极间的电接触质量，降低多孔硅与金属电极的接触电阻。本发明可用于基于多孔硅的光电探测器和太阳能电池，能有效提高器件的响应速度和光电转换效率，且制备工艺简单、成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 金属 修饰 多孔 表面 金属电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于金属钌修饰的多孔硅表面金属电极制备方法，其特征在于，包括以下步骤：①对多孔硅进行金属修饰前处理；②金属钌修饰多孔面；③对金属钌修饰后的多孔硅进行干燥处理；④在金属钌修饰后的多孔硅表面沉积金属电极；⑤快速退火；⑥光刻形成指定电极形状。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
