[发明专利]一种能够在太阳能硅片上生成绝缘层的厚膜浆料在审
| 申请号： | 201310343887.X | 申请日： | 2013-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN103456388A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 柴良;冯纪伟;杨至灏 | 申请（专利权）人： | 浙江光达电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01B3/10 | 分类号： | H01B3/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 325000 浙江省温*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种能够在太阳能硅片上生成绝缘层的厚膜浆料，由包括以下重量百分比的原料制成：三氧化二铝粉末40-90，玻璃粉0.1-10，无机添加剂0.1-10，有机载体9.8-50，本发明的厚膜浆料能够形成更稳定的绝缘层，浆料中的有机载体是在丝网印刷过程中用作载体，进而将浆料中的无机部分沉积在硅基板上，有机载体在后续的烧结工艺中被去除，形成三氧化二铝，能够提高电池片的转化效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 能够 太阳能 硅片 生成 绝缘 浆料 | ||
【主权项】：
一种能够在太阳能硅片上生成绝缘层的厚膜浆料，其特征在于，由包括以下重量百分比的原料制成：三氧化二铝粉末40‑90，玻璃粉0.1‑10，无机添加剂0.1‑10，有机载体9.8‑50。
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