[发明专利]金氧半场效晶体管MOSFET的漏电位置检测方法在审
| 申请号： | 201310343940.6 | 申请日： | 2013-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN104345259A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 崔金洪 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种金氧半场效晶体管MOSFET的漏电位置检测方法。基于本发明提供的方法通过简单的电路连接，用探针测试就可以锁定漏电位置；通过本发明的方法能够提高漏电失效分析效率，降低漏电分析成本，而且漏电位置定位准确。 | ||
| 搜索关键词： | 半场 晶体管 mosfet 漏电 位置 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种金氧半场效晶体管MOSFET的漏电位置检测方法，适用于对MOSFET的漏电位置进行定位，所述MOSFET包括衬底、所述衬底上设置有漏极、源极、栅极以及衬底电极；其特征在于，所述方法包括：对漏极、源极、栅极以及衬底电极进行电线连接，形成Bvd/sgt测试结构；所述Bvd/sgt测试结构中所述源极、所述栅极以及所述衬底电极共同接地；向所述漏极施加测试电压，在所述测试电压逐渐增大的过程，检测流经所述漏极的电流是否达到预设电流值，以获得第一检测结果；对漏极、源极、栅极以及衬底电极进行电线连接，形成Bvds/gt测试结构；所述Bvds/gt测试结构中所述栅极和所述衬底电极共同接地，所述漏极和所述源极短接；向所述漏极和所述源极施加测试电压，在所述测试电压逐渐增大的过程，检测流经所述漏极和所述源极的电流是否达到预设电流值，以获得第二检测结果；对漏极、源极、栅极以及衬底电极进行电线连接，形成Bvt/sdg测试结构；所述Bvt/sdg测试结构中所述源极、所述栅极以及所述漏极共同接地；向所述衬底电极施加测试电压，在所述测试电压逐渐增大的过程，检测流经所述衬底电极的电流是否达到预设电流值，以获得第三检测结果；根据所述第一检测结果、所述第二检测结果和所述第三检测结果，对所述MOSFET的漏电位置进行定位。
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