[发明专利]非易失性半导体存储装置有效
| 申请号： | 201310346957.7 | 申请日： | 2013-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN104021815B | 公开（公告）日： | 2017-06-23 |
| 发明（设计）人： | 细野浩司;常盘直哉 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人： | 周春燕,陈海红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供在存储串内具有多个子块，即使在子块部分地被擦除了的情况下也可以防止相邻子块的存储单元的阈值电压分布的幅度扩大的非易失性半导体存储装置。存储单元阵列11具有包含与字线连接的多个存储单元的多个存储串，上述多个存储串分为多个子块，能够按每子块擦除数据。控制部15在数据的写入时，在非选择的子块被写入的情况下与未被写入的情况下，改变对所选择的子块所包含的选择字线供给的校验电平。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种非易失性半导体存储装置，其特征在于，具备：存储单元阵列，其具有包含与字线连接的多个存储单元的多个存储串，上述多个存储串分为多个子块，能够按每子块擦除数据；以及控制部，其在写入校验工作中，在对非选择的子块写入了的情况下，对上述非选择的子块内的字线施加第1读出通过电压，在对非选择的子块未写入的情况下，对上述非选择的子块内的字线施加比第1读出通过电压低的第2读出通过电压。
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