[发明专利]移除制作工艺在审
申请号: | 201310347192.9 | 申请日: | 2013-08-09 |
公开(公告)号: | CN104347348A | 公开(公告)日: | 2015-02-11 |
发明(设计)人: | 廖晋毅;童宇诚 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种移除制作工艺,其包括将衬底送入蚀刻机台,衬底上已形成材料层。进行循环制作工艺。此循环制作工艺包括进行蚀刻制作工艺,以移除部分材料层;以及进行回火制作工艺,以移除蚀刻制作工艺所产生的副产物。之后至少重复一次循环制作工艺,再将衬底移出蚀刻机台。本发明的移除制作工艺利用多次循环制作工艺,可以有效移除材料层所需移除的厚度,降低负载效应。 | ||
搜索关键词: | 制作 工艺 | ||
【主权项】:
一种移除制作工艺,其特征在于包括:将衬底送入蚀刻机台,上述衬底上已形成材料层;进行循环制作工艺,包括:进行蚀刻制作工艺,以移除部分上述材料层;以及进行回火制作工艺,以移除上述蚀刻制作工艺所产生的副产物;至少重复一次上述循环制作工艺;以及将上述衬底移出上述蚀刻机台。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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