[发明专利]电子装置和制造电子装置的方法有效

专利信息
申请号: 201310347355.3 申请日: 2013-08-09
公开(公告)号: CN103681564B 公开(公告)日: 2017-01-18
发明(设计)人: 哈利勒·哈希尼;戈特弗里德·比尔;约阿希姆·马勒;伊万·尼基廷 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L21/48;H01L21/60
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 代理人: 余刚,吴孟秋
地址: 德国瑙伊*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及电子装置和制造电子装置的方法,一种半导体装置包括导电载体和设置在所述载体上的半导体芯片。所述半导体装置还包括设置在所述载体和所述半导体芯片之间的多孔扩散焊料层。
搜索关键词: 电子 装置 制造 方法
【主权项】:
一种半导体装置,包括:导电载体;半导体芯片,设置在所述载体上;多孔扩散焊料层,设置在所述载体和所述半导体芯片之间;以及第一中间层,设置在所述载体和所述多孔扩散焊料层之间,其中,所述第一中间层包括由防锈层形成的表面,其中所述多孔扩散焊料层包括具有金属间相的烧结的颗粒。
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