[发明专利]平面型绝缘栅双极型晶体管及其制造方法有效
申请号: | 201310347843.4 | 申请日: | 2013-08-09 |
公开(公告)号: | CN103413826A | 公开(公告)日: | 2013-11-27 |
发明(设计)人: | 刘剑;柏涛;黄国华 | 申请(专利权)人: | 上海北车永电电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L29/739 | 分类号: | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
代理公司: | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人: | 成春荣;竺云 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及半导体器件领域,公开了一种平面型绝缘栅双极型晶体管及其制造方法。本发明中,该平面型绝缘栅双极型晶体管包括位于第一半导体类型衬底上的第二半导体类型阱、第一半导体类型掺杂区、第二半导体类型掺杂区和将第一半导体类型掺杂区和第二半导体类型掺杂区隔开的绝缘介质埋层;第一半导体类型掺杂区和第二半导体类型掺杂区位于第二半导体类型阱中;第一半导体类型掺杂区和第二半导体类型掺杂区分别位于绝缘介质埋层的两侧;第一半导体类型掺杂区和第二半导体类型掺杂区的掺杂浓度高于第二半导体类型阱的掺杂浓度。该平面型绝缘栅双极型晶体管能从根本上杜绝闩锁现象的产生的可能,极大的改善器件的性能。 | ||
搜索关键词: | 平面 绝缘 栅双极型 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种平面型绝缘栅双极型晶体管,其特征在于,包括位于第一半导体类型衬底上的第二半导体类型阱、第一半导体类型掺杂区、第二半导体类型掺杂区和将所述第一半导体类型掺杂区和所述第二半导体类型掺杂区隔开的绝缘介质埋层;所述第一半导体类型掺杂区和所述第二半导体类型掺杂区位于所述第二半导体类型阱中;所述第一半导体类型掺杂区和所述第二半导体类型掺杂区分别位于所述绝缘介质埋层的两侧;所述第一半导体类型掺杂区和所述第二半导体类型掺杂区的掺杂浓度高于所述第二半导体类型阱的掺杂浓度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海北车永电电子科技有限公司,未经上海北车永电电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310347843.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:多边形沟道层多栅结构隧穿晶体管及其形成方法
- 下一篇:半导体器件
- 同类专利
- 专利分类