[发明专利]用于半导体器件制造的图案化方法

摘要

本发明提供了一种用于半导体制造的图案化方法，包括在半导体衬底上形成具有第一开口的第一图案。然后填充第一开口。在半导体衬底上形成第一部件和第二部件的第二图案，填充后的开口介入其中。然后在填充后的开口、第一部件和第二部件的侧壁上形成间隔件元件。在形成间隔件元件之后，去除构成第一部件和第二部件的材料以形成第二开口和第三开口。将填充后的开口、第二开口和第三开口用作掩模元件来蚀刻衬底的目标层。

主权项

一种半导体的制造方法，包括：在具有目标层的半导体衬底上形成第一图案，所述第一图案包括第一开口；用填充材料填充所述第一开口，从而形成填充后的开口；形成所述填充后的开口之后去除所述第一图案；在所述半导体衬底上形成第二图案，所述第二图案包括第一部件和第二部件，所述填充后的开口介于所述第一部件和所述第二部件之间；在所述填充后的开口、所述第一部件和所述第二部件的侧壁上形成间隔件元件；在形成所述间隔件元件之后，去除包括所述第一部件和所述第二部件的材料以形成第二开口和第三开口，所述第二开口和所述第三开口的侧壁由所述间隔件元件来限定；以及将所述填充后的开口、所述第二开口和所述第三开口的侧壁用作掩模图案来蚀刻所述目标层。