[发明专利]半导体元件结构有效
| 申请号： | 201310349646.6 | 申请日： | 2013-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN103456792A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 杨信佳;郭志盛 | 申请（专利权）人： | 泓广科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体元件结构，其包括至少一环状晶体管单元，设于基板中。环状晶体管单元包含一实心栅极层、一掺杂层及一环状栅极层，并由内向外依序设于基板中，通过实心或是环状形状设计，能够增加在同一区域的边缘周长，进而提升电流密度、耐压及功率输出的功效。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体元件结构，其特征在于，包括：一基板及至少一环状晶体管单元，该环状晶体管单元包含：一实心栅极层，设于所述的基板中；一环状栅极层，环设于所述的实心栅极层；及一掺杂层，位于所述的实心栅极层与所述的环状栅极层之间。
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