[发明专利]一种多通道光成像激光电离源有效
申请号: | 201310350596.3 | 申请日: | 2013-08-13 |
公开(公告)号: | CN103413748A | 公开(公告)日: | 2013-11-27 |
发明(设计)人: | 聂宗秀;何清;陈素明;袁景和;方晓红 | 申请(专利权)人: | 中国科学院化学研究所 |
主分类号: | H01J49/16 | 分类号: | H01J49/16;G01N27/64 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 关畅;王春霞 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种多通道光成像激光电离源。所述电离源包括光源、透光基底和光学检测系统;所述透光基底设置在所述光学检测系统的光路上;所述光源发出的激光经反射镜反射,得到的反射光经聚焦物镜聚焦后照射到所述透光基底上。本发明提供的多通道光成像激光电离源,可在不增加取样时间、改变样品性质的前提下,不仅可用于真空环境同时也可以在大气或亚真空条件下进行电离,从而拓宽了电离源的使用范围。通过基质的辅助,样品在光源的激发下更容易电离,从而可以获得更好的灵敏度与分辨率。由于光源从基底背面照射,可以利用较小的激光光斑进行样品电离从而使该方法具有超高空间分辨率。 | ||
搜索关键词: | 一种 通道 成像 激光 电离 | ||
【主权项】:
一种多通道光成像激光电离源,其特征在于:所述电离源包括光源、透光基底和光学检测系统;所述透光基底设置在所述光学检测系统的光路上;所述光源发出的激光经反射镜反射,得到的反射光经聚焦物镜聚焦后照射到所述透光基底上。
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