[发明专利]一种碲化镉薄膜太阳能电池的制备方法有效

专利信息
申请号: 201310351320.7 申请日: 2013-08-13
公开(公告)号: CN104241439B 公开(公告)日: 2017-06-13
发明(设计)人: 张征宇;武卫兵;李伟中 申请(专利权)人: 北京恒基伟业投资发展有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司11250 代理人: 张建纲
地址: 100083 北京市海淀区*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供的一种碲化镉薄膜太阳能电池的制备方法,针对不曾引起本领域技术人员关心与思考的因素的改进,通过能量激发的方式增加p型CdTe层的电子传输能力和电子浓度,实现了在热处理后的CdTe层上有效电沉积富Te层。同时,本发明提供的方法中还通过阴极电位渐变的方法,实现了富Te层中Te/Cd比例可控,在远离碲化镉薄膜太阳能电池衬底的方向上,Te原子浓度呈现梯度增加。
搜索关键词: 一种 碲化镉 薄膜 太阳能电池 制备 方法
【主权项】:
一种碲化镉薄膜太阳能电池的制备方法,包括在透明基板垂直方向上依次制备TCO层、CdS层、CdTe层、富Te层,其特征在于,所述富Te层制备方法包括如下步骤:S1、在CdCl2存在条件下,将表面制备有CdTe层的碲化镉薄膜太阳能电池半成品进行高温退火热处理;S2、将步骤S1制得的碲化镉薄膜太阳能电池半成品置于包括阳极、阴极以及参比电极的三电极体系电沉积装置内,将TCO层连接阴极,对电极连接阳极,电沉积液中碲前驱物含量为0.1~0.3mmol/L,镉盐含量为0.2~0.5mol/L,将所述电沉积液加热到80~90℃或在CdTe层上制备所述富Te层的沉积面上垂直引入可见光,采用阴极电位渐变脉冲沉积或连续扫描电位沉积进行富Te层的沉积。
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