[发明专利]一种碲化镉薄膜太阳能电池的制备方法有效
申请号: | 201310351320.7 | 申请日: | 2013-08-13 |
公开(公告)号: | CN104241439B | 公开(公告)日: | 2017-06-13 |
发明(设计)人: | 张征宇;武卫兵;李伟中 | 申请(专利权)人: | 北京恒基伟业投资发展有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司11250 | 代理人: | 张建纲 |
地址: | 100083 北京市海淀区*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供的一种碲化镉薄膜太阳能电池的制备方法,针对不曾引起本领域技术人员关心与思考的因素的改进,通过能量激发的方式增加p型CdTe层的电子传输能力和电子浓度,实现了在热处理后的CdTe层上有效电沉积富Te层。同时,本发明提供的方法中还通过阴极电位渐变的方法,实现了富Te层中Te/Cd比例可控,在远离碲化镉薄膜太阳能电池衬底的方向上,Te原子浓度呈现梯度增加。 | ||
搜索关键词: | 一种 碲化镉 薄膜 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种碲化镉薄膜太阳能电池的制备方法,包括在透明基板垂直方向上依次制备TCO层、CdS层、CdTe层、富Te层,其特征在于,所述富Te层制备方法包括如下步骤:S1、在CdCl2存在条件下,将表面制备有CdTe层的碲化镉薄膜太阳能电池半成品进行高温退火热处理;S2、将步骤S1制得的碲化镉薄膜太阳能电池半成品置于包括阳极、阴极以及参比电极的三电极体系电沉积装置内,将TCO层连接阴极,对电极连接阳极,电沉积液中碲前驱物含量为0.1~0.3mmol/L,镉盐含量为0.2~0.5mol/L,将所述电沉积液加热到80~90℃或在CdTe层上制备所述富Te层的沉积面上垂直引入可见光,采用阴极电位渐变脉冲沉积或连续扫描电位沉积进行富Te层的沉积。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京恒基伟业投资发展有限公司,未经北京恒基伟业投资发展有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310351320.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的