[发明专利]熔盐法键合掺杂或纯钇铝石榴石与掺杂钇铝石榴石晶体的方法

摘要

本发明公开了熔盐法键合掺杂或纯钇铝石榴石与掺杂钇铝石榴石晶体的方法，首先利用光胶键合，随后利用助熔剂涂在其键合部位上，使得晶体的键合部位局部熔化后再结晶。本发明相比现有技术的优点为：由光胶键合既保证了键合后晶体的光学质量。又利用助熔剂使得晶体的键合部位局部熔化后再结晶，从而大大加强了键合的牢固度，且键合部位完全融合在一起，没有明显的键合界面，进一步保证了光学质量。

主权项

熔盐法键合掺杂或纯钇铝石榴石与掺杂钇铝石榴石晶体的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)首先将两个待键合晶体抛光进行光胶键合，加温加压，将两个待键合晶体粘合在一起成为键合晶体；2)按照以下原料重量配比配置助熔剂：氧化硼4‑6份，高纯YAG粉末2‑3份，有机粘合物1‑2份，以及去离子水适量；然后在键合晶体的键合部位均有涂上一层3‑5mm长的助熔剂，硬化后，将键合晶体放入退火槽中，用氧化铝粉末保温，铺平，用化铝粉填埋，加盖后，放入硅钼炉内烧制；3)升温至300℃时保温3小时，然后以50℃/H的速度升温到1100度，再以15‑30℃/H的速度升温至1300‑1500℃即可，恒温24‑26小时；4)开始降温，先以3‑5℃/H的速度降温，降温24小时后，以10‑15℃/H的速度继续降温24小时，随后以15‑30℃/H的速度降温至1000℃,而后以30‑50℃/H的速度降温至600℃，随之以50‑100℃/H的速度降温至300℃时关闭电源，让其自然降温至0℃出炉；5）出炉后用碳化硼砂子对键合晶体涂抹助熔剂的部分进行精搓。