[发明专利]具有沟槽式填料栅格的图像传感器在审
申请号: | 201310351553.7 | 申请日: | 2013-08-13 |
公开(公告)号: | CN104051476A | 公开(公告)日: | 2014-09-17 |
发明(设计)人: | 谢丰键;黄仕强;简荣亮;刘哲儒;王骏颖;郑志成;陈信吉 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 除了其他方面,本发明提供了一种或多种图像传感器以及用于形成这样的图像传感器的方法。图像传感器包括被配置以检测光的光电二极管阵列。填充栅格形成在光电二极管阵列上方,诸如介电栅格上方。填充栅格包括一个或多个填充结构,诸如提供到达第一光电二极管的光传播路径的第一填充结构,该光传播路径主要经过第一填充结构。这样,减轻了第一光电二极管检测之前沿光传播路径的光的信号强度的衰减。图像传感器包括将光引导向对应的光电二极管的反射层。例如,第一反射层部分将光引导向第一光电二极管并且远离第二光电二极管。这样,减轻了通过不适当的光电二极管检测光产生的串扰。本发明还公开了具有沟槽式填料栅格的图像传感器。 | ||
搜索关键词: | 具有 沟槽 填料 栅格 图像传感器 | ||
【主权项】:
一种图像传感器,包括:光电二极管阵列,形成在衬底上方;介电栅格,形成在所述光电二极管阵列上方;以及填充栅格,形成在所述介电栅格之间,所述填充栅格包括形成在所述光电二极管阵列的第一光电二极管上方的第一填充结构,所述第一填充结构基本上形成在所述介电栅格的顶面和所述第一光电二极管之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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