[发明专利]光掩模制造方法有效
申请号: | 201310354226.7 | 申请日: | 2013-08-14 |
公开(公告)号: | CN104375378B | 公开(公告)日: | 2019-04-26 |
发明(设计)人: | 张沧岂 | 申请(专利权)人: | 上海凸版光掩模有限公司 |
主分类号: | G03F1/72 | 分类号: | G03F1/72;G03F1/84 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 200233 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种光掩模制造方法。根据本发明的方法,首先,采用包含曝光及蚀刻等在内的工艺来形成待检光掩模;随后,在待检光掩模经过清洗后,进行图案检查以确定所述待检光掩模是否能采用修补设备进行修补,当确定所述待检光掩模采用修补设备已无法修补时,基于缺陷的相关信息来判断缺陷是否能通过再加工来消除,并当确定缺陷能通过再加工消除时,基于缺陷的位置对所述待检光掩模重新进行加工处理以消除相应缺陷,并于检验合格后进行贴膜处理。本发明能有效消除孤立且巨大之缺陷,提高光掩模的生产良率。 | ||
搜索关键词: | 光掩模 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种光掩模制造方法,其特征在于,所述光掩模制造方法至少包括:1)采用包含曝光及蚀刻在内的工艺来形成待检光掩模;2)在待检光掩模经过清洗后,进行图案检查以确定所述待检光掩模是否能采用修补设备进行修补;3)当确定所述待检光掩模采用修补设备已无法修补时,基于缺陷的相关信息来判断缺陷是否能通过再加工来消除,所述缺陷的相关信息包括缺陷的尺寸及缺陷与相邻图案区域是否相连,当所述缺陷与相邻图案区域不相连,则判断缺陷能通过再加工来消除;4)当确定缺陷能通过再加工消除时,基于缺陷的位置对所述待检光掩模重新进行加工处理以消除相应缺陷,并于检验合格后进行贴膜处理;所述加工处理的步骤包括:在所述待检光掩模表面涂布光刻胶,对所述缺陷的位置进行局部曝光、显影及刻蚀,去除残余光刻胶并清洗。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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