[发明专利]一种基于导电高分子膜的用于胶束中羟氨苄青霉素检测的新型电化学传感器制备方法

摘要

本发明涉及一种用于胶束中羟氨苄青霉素检测的电化学传感器制备，尤其涉及一种基于导电高分子膜的新型电极的制备方法。本发明所制备的传感器中高分子改性碳糊电极对羟氨苄青霉素的氧化具有有效的活性。本发明为胶束中羟氨苄青霉素的伏安行为的研究提供了一种有效的高灵敏度的电化学传感器。该方法能够提供一种迅速、方便、准确、低价和精确地检测羟氨苄青霉素的途径。本发明涉及的传感器中羟氨苄青霉素的氧化是可逆的并且是扩散控制的，而且所制备的传感器对羟氨苄青霉素的检测具有很好的选择性。

主权项

一种基于导电高分子膜的用于胶束中羟氨苄青霉素检测的新型电化学传感器制备方法，其特征在于：在电极改性之前，碳糊电极先用0.05～0.10μm的Al2O3进行抛光处理然后在蒸馏水中超声洗涤6～10min。然后碳糊电极在0.2～0.5mol/L的硝酸溶液中以50～100mV/s的扫描速率在‑0.5～+2.0V的范围内循环扫描20～50次进行电化学激活处理。碳糊电极的电化学改性在0.6～1mmol/L的聚苯胺溶液中用循环伏安法进行。电聚合完成之后，改性电极用蒸馏水充分洗涤然后室温干燥1～2小时。