[发明专利]高压ESD器件版图结构以及包含该版图结构的芯片有效
| 申请号： | 201310354719.0 | 申请日： | 2013-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN103400839A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 吴健;谭颖 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/70 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种高压ESD器件版图结构以及包含该版图结构的芯片。该高压ESD器件版图结构包括：半导体衬底，其具有高压阱区；器件栅氧区，其限定该半导体衬底的有源区；漂移区，其形成在该器件有源区的外围；杂质区，其形成在漂移区的下方，但小于有源区宽度；源极，漏极配置在杂质区中；器件栅区，位于有源区的上方；场板区，位于漂移区的上方；其中，器件栅区及有源区宽度伸出杂质区。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 esd 器件 版图 结构 以及 包含 芯片 | ||
【主权项】：
一种高压ESD器件版图结构，其特征在于包括：半导体衬底，其具有高压阱区；器件栅氧区，其限定该半导体衬底的有源区；漂移区，其形成在该器件有源区的外围；杂质区，其形成在漂移区的下方，但小于有源区宽度；源极区，漏极配置在杂质区中；器件栅区，位于有源区的上方；场板区，位于漂移区的上方；其中，器件栅区及有源区宽度伸出杂质区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310354719.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于提纯铂铑贵金属的区域熔炼设备
- 下一篇：一种增强型电表箱
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
