[发明专利]磷化铟生长坩埚清洗方法有效
| 申请号： | 201310355906.0 | 申请日： | 2013-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN104368566B | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 关活明 | 申请（专利权）人： | 台山市华兴光电科技有限公司 |
| 主分类号： | B08B7/04 | 分类号： | B08B7/04;C30B11/00;C30B29/40 |
| 代理公司： | 广东国晖律师事务所44266 | 代理人： | 邓钜明 |
| 地址： | 529341 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种磷化铟生长坩埚清洗方法，包括1、先将磷化铟生长坩埚放入超声波清水洗5‑10分钟；2、晾干后放到明火中燃烧5‑10分钟，火焰温度在1200℃以上；3、冷却后取出置入真空烘烤炉中，然后，用抽真空设备将烘烤炉的本底真空度抽至10‑5Pa数量级及以上，温度100‑150℃，持续10‑40分钟；4、冷却后取出放置于真空干燥器中待用。该方法简单易行，清洁效果显著，保证了生产产品的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 磷化 生长 坩埚 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种磷化铟生长坩埚清洗方法，其特征在于：1)先将磷化铟生长坩埚放入超声波清水洗5‑10分钟，去除表面的灰尘；2)晾干后放到明火中燃烧5‑10分钟，火焰温度在1200℃以上；3)冷却后取出置入真空烘烤炉中，然后，依次用机械泵、分子涡轮泵将烘烤炉的本底真空度抽至10‑5Pa数量级及以上，温度100‑150℃，持续10‑40分钟；4)冷却后取出放置于真空干燥器中待用。
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