[发明专利]三维微米凹球的制备方法在审
| 申请号： | 201310356009.1 | 申请日： | 2013-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN104377286A | 公开（公告）日： | 2015-02-25 |
| 发明（设计）人： | 顾长志;尹红星;杨海方;刘哲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种三维微米凹球的制备方法，包括如下步骤：在衬底上旋涂正型光刻胶并烘干；通过掩膜板采用紫外线对所述正型光刻胶进行曝光；对曝光后的正型光刻胶进行显影得到光刻胶图形，利用干法刻蚀将所述光刻胶图形转移到所述衬底上；其中所述掩膜板为明场掩膜，所述掩膜板上具有呈二维六角排布的多个圆斑。本发明的三维微米凹球的制备方法能够大面积的在衬底上得到超高占空比的三维微米凹球。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 微米 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种三维微米凹球的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1）在衬底上旋涂正型光刻胶并烘干；2）通过掩膜板采用紫外线对所述正型光刻胶进行曝光；3）对曝光后的正型光刻胶进行显影得到光刻胶图形，利用干法刻蚀将所述光刻胶图形转移到所述衬底上；其中所述掩膜板为明场掩膜，所述掩膜板上具有呈二维六角排布的多个圆斑，所述紫外线的曝光剂量为50mJ/cm2‑70mJ/cm2。
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