[发明专利]溅射靶及包括通过其沉积的黑矩阵的有机发光显示装置无效
申请号: | 201310357338.8 | 申请日: | 2013-08-16 |
公开(公告)号: | CN103590009A | 公开(公告)日: | 2014-02-19 |
发明(设计)人: | 韩镇宇;金义洙;朴承元;金珠锡;孙仁成 | 申请(专利权)人: | 三星康宁精密素材株式会社 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C23C14/08;H01L27/32 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩明星;韩芳 |
地址: | 韩国庆尚*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 提供了一种可以形成具有高电阻率和低反射率特性的黑矩阵的溅射靶及一种包括通过其沉积的黑矩阵的有机发光显示装置。在用于沉积黑矩阵的溅射工艺中使用的溅射靶包含从由Mo-Si-O、W-Si-O和Mo-W-Si-O组成的组中选择的一种,Mo或W的含量为Si的含量的至少0.5倍。 | ||
搜索关键词: | 溅射 包括 通过 沉积 矩阵 有机 发光 显示装置 | ||
【主权项】:
一种在用于沉积黑矩阵的溅射工艺中使用的溅射靶,所述溅射靶包括从由Mo‑Si‑O、W‑Si‑O和Mo‑W‑Si‑O组成的组中选择的一种,Mo或W的含量为Si的含量的至少0.5倍。
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