[发明专利]半导体发光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310359009.7 | 申请日： | 2013-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN103682026B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 户谷真悟;出口将士 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 顾晋伟,全万志 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体发光元件及其制造方法。制造半导体发光元件的方法包括如下步骤在衬底的主表面上形成由第III族氮化物基化合物半导体构成的半导体层；在半导体层上形成透明导电金属氧化物膜；在透明导电金属氧化物膜上方形成电极；形成用于覆盖透明导电金属氧化物膜的一部分的掩模层；以及在含氧气氛中对其上形成有掩模层的透明导电金属氧化物膜进行热处理；其中，在热处理步骤中，使透明导电金属氧化物膜的未被掩模层覆盖的剩余部分的氧浓度高于透明导电金属氧化物膜的被掩模层覆盖的部分的氧浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体发光元件的方法，所述方法包括以下顺序的步骤：在衬底的主表面上形成由第III族氮化物基化合物半导体构成的半导体层的半导体层形成步骤；在所述半导体层上形成透明导电金属氧化物膜的透明导电金属氧化物膜形成步骤；形成用于覆盖所述透明导电金属氧化物膜的一部分的掩模层的掩模层形成步骤；在含氧气氛中对其上形成有所述掩模层的所述透明导电金属氧化物膜进行热处理的热处理步骤；以及在所述透明导电金属氧化物膜上方形成电极的电极形成步骤；其中，在所述热处理步骤中，使所述透明导电金属氧化物膜的未被所述掩模层覆盖的剩余部分的氧浓度高于所述透明导电金属氧化物膜的被所述掩模层覆盖的部分的氧浓度。
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