[发明专利]使用光处理来制造太阳能电池的装置和方法有效
申请号: | 201310359696.2 | 申请日: | 2013-08-16 |
公开(公告)号: | CN104241440B | 公开(公告)日: | 2017-07-21 |
发明(设计)人: | 郑皓宇;邱永昇;黄乙峯;王晨昀;江济宇;杨弦升;林光明 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明涉及了一种使用光处理来制造太阳能电池的装置和方法,该光照装置包括与沉积处理系统中的其他处理相分开的壳体,在沉积处理系统中沉积正面接触层之后用于将衬底上的太阳能电池运送到壳体中的传送机构,以及一个或多个被配置为在沉积正面接触层之后向太阳能电池施加光照的光源元件。一种制造太阳能电池的方法包括在玻璃衬底上形成背面接触层,在背面接触层上形成吸收层,在吸收层上形成缓冲层,以及在缓冲层之上形成正面接触层,玻璃衬底,背面接触层,吸收层,缓冲层以及正面接触层形成第一组件。该方法包括在形成正面接触层之后并且独立于其他处理而向第一组件施加光源。 | ||
搜索关键词: | 使用 处理 制造 太阳能电池 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种用于形成太阳能电池的光照装置,包括:壳体,与沉积处理系统中的其他处理部件相分开;传送机构,在所述沉积处理系统中沉积正面接触层之后用于将衬底上的太阳能电池运送至所述壳体中;以及一个或多个光源元件,位于所述壳体内并且被配置为在沉积所述正面接触层之后对所述太阳能电池施加紫外光照,所述一个或多个光源元件发出光能大于3.1eV并且主光源波长小于400nm的紫外光;所述正面接触层包括透明导电氧化物层,所述一个或多个光源元件根据所述透明导电氧化物层的性质以及受到辐照的结构的性质提供不同的光能。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的