[发明专利]主动元件在审
| 申请号： | 201310360456.4 | 申请日： | 2013-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN104143574A | 公开（公告）日： | 2014-11-12 |
| 发明（设计）人： | 冉晓雯;蔡娟娟;余沛慈;刘洪铨;吴炳枢;赖逸群;陈蔚宗 | 申请（专利权）人： | 元太科技工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种主动元件，设置于基板上。主动元件包括栅极、氧化物半导体通道层、栅绝缘层、多条纳米导线、源极与漏极。栅绝缘层配置于栅极与氧化物半导体通道层之间。纳米导线分布于氧化物半导体通道层中且不接触栅绝缘层。纳米导线沿一个方向排列且彼此互不交错。源极与漏极配置于氧化物半导体通道层的相对两侧。氧化物半导体通道层的一部分暴露于源极与漏极之间。本发明提供的技术方案可增加元件的导通电流并减少漏电流现象和具有较高的场效应迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 主动 元件 | ||
【主权项】：
一种主动元件，设置于基板上，其特征在于该主动元件包括：栅极；氧化物半导体通道层；栅绝缘层，配置于该栅极与该氧化物半导体通道层之间；多条纳米导线，分布于该氧化物半导体通道层中，其中所述纳米导线不接触该栅绝缘层，而所述纳米导线沿一个方向排列且彼此互不交错；以及源极与漏极，配置于该氧化物半导体通道层的相对两侧，其中该氧化物半导体通道层的一部分暴露于该源极与该漏极之间。
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