[发明专利]一种锰钴铜体系非线性负温度系数厚膜电子浆料的制备方法

摘要

本发明公开了一种锰钴铜体系非线性负温度系数(NTC)厚膜电子浆料的制备方法，包括以下步骤：①将下述化合物按摩尔组分比混合：乙酸锰1.1～1.85，硝酸钴0.5～0.95，硫酸铜0.6～0.9；②根据配方配置浓度一定的反应前含锰钴铜离子的水溶液，然后在一定温度和搅拌速度下加入碳酸钾溶液共沉淀；③沉淀物用去离子水反复清洗并过滤烘干后，在一定温度下加热分解生成NTC陶瓷前驱物；④将NTC陶瓷前驱物与一定比例的玻璃粉进行高速球磨混合；⑤加入一定量的有机载体轧制成浆料。本发明不仅可研制出超低方阻的NTC浆料配方，烧结后室温电阻率在5～50Ω.cm之间，应用该浆料制备的NTC器件阻值可低至1～5Ω，B值在2000K以上，本发明所提供的技术方案对低阻厚膜NTC浆料的工业化生产具有重要实用价值。

主权项

一种锰钴铜体系非线性负温度系数(NTC)厚膜电子浆料的制备方法，其特征在于，包括以下的步骤：步骤1，确定锰钴铜NTC材料体系，按mol配方Mn_1.1～1.85Co_0.5～0.95Cu_0.6～0.9，乙酸将锰、硝酸钴、硫酸铜的混合物中加入4～8L的去离子水，得到初始的反应溶液；步骤2，制备NTC陶瓷的反应前驱物，包括以下子步骤，步骤2.1，在30～60℃及200rpm的搅拌速度下，将碳酸钾溶液滴加到乙酸锰、硝酸钴与硫酸铜的混合溶液中，充分反应；步骤2.2，对步骤2.1所得沉淀用去离子水反复清洗至PH值在7～8之间，然后过滤在100℃烘干，并过100目筛；步骤2.3，将步骤2.2中的所得的过筛物料在600～1000℃煅烧1～2小时，得到NTC陶瓷的反应前驱物；步骤3，轧制NTC浆料，包括以下子步骤，步骤3.1，将步骤2.3得到的NTC陶瓷的反应前驱物粉碎，加入NTC粉质量3％～20％的预制的玻璃粉，行星球磨4h，转速451rpm，NTC与玻璃粉混合物料：去离子水：玛瑙球(质量比)＝1∶1∶3，得到的球磨混合物在100℃烘干过100目筛备用；步骤3.2，在步骤3.1得到球磨混合物中加入其质量15％～30％的预制的有机载体，利用三辊轧机轧浆。