[发明专利]一种基于双层胶技术的掩模平坦化方法有效
| 申请号： | 201310361799.2 | 申请日： | 2013-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN103399461A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 罗先刚;王长涛;赵泽宇;王彦钦;沈同圣;刘玲;胡承刚;黄成;杨磊磊;潘思洁;崔建华;赵波 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/16;G03F7/26 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 成金玉 |
| 地址： | 610209 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于双层胶技术的掩模平坦化方法，其主要步骤为：在平面或者曲面基底上沉积铬膜层并制备掩模图形，之后在其上先后涂敷光刻胶A和光刻胶B，采用中心波长为365nm的紫外曝光光源从基底的背面入射，使光刻胶B感光，利用光刻胶A在光刻胶B显影液中的溶解速率大于光刻胶B在光刻胶B显影液中的显影速率的特性形成侧向沟槽，再利用电子束蒸镀沉积二氧化硅，厚度和掩模铬层厚度相等。将掩模浸泡于有机溶剂中去除A、B光刻胶，最后得到平坦化的掩模。该方法可以应用到一体式曝光器件的掩模平坦化工艺中，如Superlens和缩小Hyperlens器件的掩模平坦化工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 双层 技术 平坦 方法 | ||
【主权项】：
一种基于双层胶技术的掩模平坦化方法，其特征步骤如下：步骤（1）、在基底上沉积一定厚度的掩模层，并在掩模层上制备掩模图形；步骤（2）、在掩模图形上涂敷光刻胶A，并进行前烘处理；步骤（3）、在所述步骤（2）得到的结构上涂敷光刻胶B，并进行前烘处理；步骤（4）、采用中心波长为365nm的紫外曝光光源从所述步骤（3）得到的结构背面入射，对光刻胶B进行曝光，显影；步骤（5）、在所述步骤（4）得到的结构内沉积二氧化硅层，厚度和铬膜的厚度相等；步骤（6）、将所述步骤（5）得到的结构放到有机溶剂中去除光刻胶A和光刻胶B。
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