[发明专利]层叠封装结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201310362355.0 | 申请日： | 2013-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN104051355A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 林志伟;吕文雄;郭炫廷;陈威宇;郑明达;刘重希 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/54;H01L21/56;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种器件，包括：底部封装件，其包括互连结构、位于第一面上的第一凸块以及位于第二面上的金属凸块；半导体管芯，接合在底部封装件上，其中半导体管芯通过互连结构电连接至第一凸块。该器件还包括接合在底部封装件的第二面上的顶部封装件，其中顶部封装件包括第二凸块，并且每个第二凸块和相应的金属凸块都形成顶部封装件和底部封装件之间的连接结构；以及形成在顶部封装件和底部封装件之间的底部填充层，其中金属凸块嵌入到底部填充层中。本发明还公开了层叠封装结构及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 层叠 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种器件，包括：底部封装件，包括：多个互连结构；多个第一凸块，形成在所述底部封装件的第一面上；和多个金属凸块，形成在所述底部封装件的第二面上，其中，所述金属凸块具有宽度D1和高度H1，并且D1大于H1；半导体管芯，接合在所述底部封装件的第二面上，其中，所述半导体管芯通过所述互连结构电连接至所述第一凸块；顶部封装件，接合在所述底部封装件的第二面上，其中：所述顶部封装件包括多个第二凸块，并且每个第二凸块和相应的金属凸块形成位于所述顶部封装件和所述底部封装件之间的连接结构；以及底部填充层，形成在所述顶部封装件和所述底部封装件之间，其中，所述金属凸块嵌入在所述底部填充层中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310362355.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：变阻尼消波结构
- 下一篇：一种USB口的串行通信光纤转换装置
