[发明专利]一种硅通孔三维耦合串扰噪声模型及其建模方法

摘要

本发明公开一种硅通孔三维耦合串扰噪声模型及其建模方法，该建模方法包括如下步骤：输入TSV制造工艺信息；依照实际生产的TSV互连结构，将垂直高度分为几段，计算每段或每层中各个材料的阻抗；由制造工艺偏差所引入的相同介质层阻抗偏差，可通过将高度分段细化，单独计算各段阻抗值获得，将计算后的各段阻抗连接构成RCGL电路模型；计算相邻TSV构成的双端口RCGL电路间的噪声传输函数表达式，本发明将模型细化为不同高度段，可有效用于TSV故障模型的建立，经验证，本发明具有较高的准确度，并且建模快速，有着很好的可扩展性。

主权项

一种硅通孔三维耦合串扰噪声模型，其特征在于：该串扰噪声模型根据双线传输线电磁场耦合模型，将TSV以及相邻TSV间提供传输通路的硅衬底分割为多个各自独立的阻抗单元，相互连接构成RCGL电路模型，相邻TSV耦合对之间形成一组可计算串扰值的双端口串扰模型。