[发明专利]多次可编程的内存有效
申请号: | 201310363405.7 | 申请日: | 2013-08-20 |
公开(公告)号: | CN103633097B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 卓荣发;陈学深;林启荣;郭克文 | 申请(专利权)人: | 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;H01L29/78 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人: | 程伟,王锦阳 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及多次可编程的内存,所揭露的是一种装置。本装置包括基板及置于基板上的鳍型结构。鳍型结构作用为n个晶体管的共享基体。晶体管包括单独电荷储存层与栅极介电层。电荷储存层设置于鳍型结构的上部表面以及栅极介电层设置于鳍型结构的侧壁上。n=2x,其中x为大于或等于1的整数。晶体管可在选择晶体管与储存晶体管之间互换。 | ||
搜索关键词: | 多次 可编程 内存 | ||
【主权项】:
一种内存装置,包含:基板;以及设置在该基板上的鳍型结构,该鳍型结构作为n个晶体管的共享基体,其中,n=2x,x为大于或等于1的整数,各该晶体管包含设置在该鳍型结构两侧的栅极电极;单独的电荷储存层,设置于该鳍型结构的上部表面以及具有与该栅极电极呈共面的上部表面;以及设置于该鳍型结构以及该电荷储存层的侧壁上的二个栅极介电层,其中,晶体管能在选择晶体管与储存晶体管之间互换,以及该栅极电极由该鳍型结构、该电荷储存层以及该等栅极介电层所分开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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