[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201310364265.5 | 申请日： | 2013-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN104425583A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 洪志临;陈信良;陈永初 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/40;H01L23/60;H01L21/332;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括一衬底、一第一掺杂区(doping region)、一第一阱(well)、一第一重掺杂区(heavily doping region)、一第二重掺杂区、一第三重掺杂区以及一电阻元件。第一掺杂区设置于衬底上，第一阱设置于第一掺杂区内。第一重掺杂区设置于第一阱内。第二重掺杂区设置于第一阱内，第二重掺杂区是与第一重掺杂区间隔开来。第三重掺杂区设置于第一掺杂区内，第二重掺杂区经由电阻元件电性连接于第三重掺杂区。衬底、第一阱及第二重掺杂区具有一第一掺杂型态，第一掺杂区、第一重掺杂区及第三重掺杂区具有一第二掺杂型态，第一掺杂型态互补于第二掺杂型态。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：一衬底；一第一掺杂区(doping region)，设置于该衬底上；一第一阱(well)，设置于该第一掺杂区内；一第一重掺杂区(heavily doping region)，设置于该第一阱内；一第二重掺杂区，设置于该第一阱内，该第二重掺杂区是与该第一重掺杂区间隔开来；一第三重掺杂区，设置于该第一掺杂区内；以及一电阻元件，该第二重掺杂区经由该电阻元件电性连接于该第三重掺杂区；其中该衬底、该第一阱及该第二重掺杂区具有一第一掺杂型态，该第一掺杂区、该第一重掺杂区及该第三重掺杂区具有一第二掺杂型态，该第一掺杂型态互补于该第二掺杂型态。
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