[发明专利]薄膜吸附设备有效
申请号: | 201310364415.2 | 申请日: | 2013-08-20 |
公开(公告)号: | CN104425326B | 公开(公告)日: | 2017-06-09 |
发明(设计)人: | 翁思渊;蔡馥禧 | 申请(专利权)人: | 致茂电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L21/683 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾桃园县龟*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种薄膜吸附设备包含支撑座、第一通道、第二通道与泵。支撑座具有吸附面。第一通道贯穿支撑座。第一通道具有第一开口与第二开口,且第一通道的第一开口位于吸附面。第二通道贯穿支撑座。第二通道具有第一开口与第二开口,且第二通道的第一开口位于吸附面。泵连通于第二通道的第二开口。当一薄膜放置于吸附面并覆盖第一通道的第一开口及第二通道的第一开口时,泵抽气以驱动一气流从第一通道的第二开口流入并通过吸附面与薄膜的间隙,以吸附薄膜。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 吸附 设备 | ||
【主权项】:
一种薄膜吸附设备,其特征在于包含:一支撑座,具有一吸附面;一第一通道,贯穿该支撑座,该第一通道具有一第一开口与一第二开口,且该第一通道的第一开口位于该吸附面;一第二通道,贯穿该支撑座,该第二通道具有一第一开口与一第二开口,且该第二通道的第一开口位于该吸附面;以及一泵,连通于该第二通道的第二开口;其中当一薄膜放置于该吸附面并覆盖该第一通道的第一开口及该第二通道的第一开口时,该吸附面与该薄膜的间隙连通该第一通道的第一开口与该第二通道的第一开口,该泵抽气以驱动一气流从该第一通道的第二开口流入并依序通过该第一通道的第一开口、该吸附面与该薄膜的间隙与该第二通道的第一开口,以吸附该薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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