[发明专利]基片刻蚀方法在审
| 申请号： | 201310364428.X | 申请日： | 2013-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN104425237A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 吴鑫;杨盟;高福宝;贾士亮 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供的基片刻蚀方法，其包括以下步骤：主刻蚀步骤，向反应腔室内通入刻蚀气体，并开启激励电源和偏压电源，以在基片上刻蚀形成图形的基础轮廓；过刻蚀步骤，继续向反应腔室内通入刻蚀气体，并保持激励电源和偏压电源开启，以修饰图形形貌，使其达到工艺要求。本发明提供的基片刻蚀方法，其可以在整个工艺进行的过程中减少球形颗粒物掉落到基片上的数量，从而可以减少基片图形形貌的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基片刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：主刻蚀步骤，向反应腔室内通入刻蚀气体，并开启激励电源和偏压电源，以在基片上刻蚀形成图形的基础轮廓；过渡步骤，用于将所述主刻蚀步骤需要的工艺参数值逐步调整至过刻蚀步骤需要的工艺参数值，以保证等离子体的稳定性，所述工艺参数值为阻抗值、流量值、压力值和偏压功率值中的至少一种；过刻蚀步骤，继续向反应腔室内通入刻蚀气体，并保持激励电源和偏压电源开启，以修饰图形形貌，使其达到工艺要求。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
