[发明专利]用于将InP薄膜转移到加强基板上的方法在审
| 申请号： | 201310364487.7 | 申请日： | 2013-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN103632924A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 奥雷莉·托赞 | 申请（专利权）人： | 法国原子能及替代能源委员会 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/18 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;张英 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 发明涉及用于将InP薄膜转移到加强基板上的方法，该方法包括由以下组成的步骤：a）提供一种结构，其包括InP表面层（5）和在下面的掺杂InP薄层（4）；b）通过表面层（5）注入氢离子以在掺杂薄层（4）中产生弱化平面（7），从而划界包括表面层（5）的薄膜；c）使表面层（5）紧密接触加强基板而设置；以及d）施加热处理以在弱化平面（7）处获得分裂并将薄膜转移到加强基板上。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 inp 薄膜 转移 加强 基板上 方法 | ||
【主权项】：
一种用于将InP薄膜（11）转移到加强基板（9）上的方法，所述方法包括由以下组成的步骤：a）提供一种结构（6），所述结构包括InP的表面层（5）和在下面的掺杂InP薄层（4）；b）通过所述表面层（5）注入氢离子以在所述掺杂薄层（4）中产生弱化平面（7），从而使包括所述表面层（5）的薄膜（11）划界；c）使所述表面层（5）紧密接触加强基板（9）而设置；以及d）施加热处理以在所述弱化平面（7）处获得分裂并将所述薄膜（11）转移到所述加强基板（9）上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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