[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法无效
申请号: | 201310364758.9 | 申请日: | 2013-08-20 |
公开(公告)号: | CN104064553A | 公开(公告)日: | 2014-09-24 |
发明(设计)人: | 山崎尚 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L23/552 | 分类号: | H01L23/552;H01L23/495;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/58 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 陈海红;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种能容易地形成在密封部件上具有屏蔽效果的导体层的半导体装置及半导体装置的制造方法。实施方式涉及的半导体装置的制造方法包括以下步骤:在将第1端子、厚度比第1端子薄的第2端子针对安装部的周围间隔开配置的引线框的安装部上载置半导体芯片;由树脂将半导体芯片及引线框密封;使树脂形成底面位于第1端子的上表面和第2端子的上表面之间的沟;填充沟,并且,覆盖树脂的表面,以与第1端子电导通并与第2端子电绝缘的方式形成导体层;以填充在沟的导体层的截面露出的方式在厚度方向切断树脂。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体装置的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:在将第1端子、厚度比上述第1端子薄的第2端子在安装部的周围间隔开配置的引线框的上述安装部上载置半导体芯片;由树脂将上述半导体芯片及上述引线框密封;在上述树脂形成底面位于上述第1端子的上表面和上述第2端子的上表面之间的沟;填充上述沟,并且,覆盖上述树脂的表面,以与上述第1端子电导通并与上述第2端子电绝缘的方式形成导体层;以填充在上述沟的导体层的截面露出的方式在厚度方向切断上述树脂。
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