[发明专利]电子保护装置、用于驱动电子保护装置的方法及其应用有效

专利信息
申请号: 201310365299.6 申请日: 2013-08-21
公开(公告)号: CN103633614B 公开(公告)日: 2016-11-02
发明(设计)人: P·格鲁伯 申请(专利权)人: 帝斯贝思数字信号处理和控制工程有限公司
主分类号: H02H3/08 分类号: H02H3/08;H02H3/06
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 沈英莹
地址: 德国帕*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明涉及电子保护装置、用于驱动电子保护装置的方法及其应用。电子保护装置用于保护至少一个电负载(LS),电负载能连接到保护装置上,该电子保护装置具有输入端子(IN)和输出端子,该保护装置具有热自恢复的保险丝元件,该保险丝元件设计和构建为,根据保险丝元件温度(TPF)传导或限制第一电流(I1),为了限制第一电流,设置限制装置(T1、WA),该限制装置包括:与保险丝元件串联的第一晶体管(T1),和影响第一晶体管的监控电路(WA),其设计和构建为,a)在第一电流(I1)达到或超过预定义的最大电流值(Iwh)时使第一晶体管截止,以及b)在第一电流达到或低于预定义的接通电流值(Iwh)时接通第一晶体管。
搜索关键词: 电子 保护装置 用于 驱动 方法 及其 应用
【主权项】:
用于保护至少一个电负载的电子保护装置,所述电负载能连接到保护装置上,其中该电子保护装置具有:输入端子;输出端子;热自恢复的保险丝元件,该保险丝元件配置为,根据保险丝元件温度传导或限制第一电流;和用于限制第一电流的限制装置,该限制装置包括第一晶体管和监控电路,所述第一晶体管通过位于保险丝元件与第一晶体管之间的监控电路而与保险丝元件串联,所述监控电路影响第一晶体管,其中,所述监控电路配置为,在第一电流达到或超过预定义的最大电流值时使第一晶体管截止,以及在第一电流达到或低于预定义的接通电流值时接通第一晶体管,其特征在于,第一晶体管是具有源极端子、栅极端子和漏极端子的MOSFET,其中,栅极端子与电流源和监控电路连接,借助监控电路影响MOSFET的栅源电压。
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