[发明专利]一种氧化物薄膜的溅射方法有效
| 申请号： | 201310365478.X | 申请日： | 2013-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN103436849A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 徐苗;徐华;陈子恺;陶洪;王磊;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 广州新视界光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/08 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 510730 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种氧化物薄膜的溅射方法，是将臭氧直接通入物理气相沉积设备的反应腔内作为溅射气体进行氧化物薄膜沉积。通入反应腔内的臭氧的流量占溅射使用气体总流量的0.1%~50%。物理气相沉积设备为直流溅射、射频溅射、中频溅射、交流溅射或者脉冲直流溅射设备中的任意一种。物理气相沉积设备为单靶直接溅射方式或者为多靶共溅射方式。臭氧是通过臭氧发生器以电晕放电法、紫外照射法或者电解法中的任意一种方式制备而成。适合于制备金属氧化物半导体薄膜、透明导电薄膜和介质膜。本发明的方法能够制备具有低氧空位含量的氧化物半导体薄膜、高透低阻的氧化物透明导电薄膜以及工艺窗口大、耐压特性好的氧化物介质薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 薄膜 溅射 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化物薄膜的溅射方法，其特征在于：将臭氧直接通入物理气相沉积设备的反应腔内作为溅射气体进行氧化物薄膜沉积。
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