[发明专利]离子源以及离子注入装置有效

专利信息
申请号: 201310365575.9 申请日: 2013-08-20
公开(公告)号: CN104425198B 公开(公告)日: 2017-08-08
发明(设计)人: 许飞;秦斌;汪东;周智;於鹏飞 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01J37/08 分类号: H01J37/08
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 代理人: 屈蘅,李时云
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明揭示了一种离子源以及离子注入装置,所述离子源具有真空室,所述真空室包括等离子体形成容器;第一阴极,设置在所述等离子体形成容器的一侧面,用于放出电子;第一旁热式阴极,所述第一阴极放出的电子碰撞所述第一旁热式阴极后,进入所述等离子体形成容器;第二阴极,设置在与所述第一阴极相对的所述等离子体形成容器的侧面,用于放出电子;第二旁热式阴极,所述第二阴极放出的电子碰撞所述第二旁热式阴极后,进入所述等离子体形成容器。本发明的离子源,当所述第一阴极或第二阴极损坏时,只需改变所述第一阴极和第二阴极的通电方式,就可以使所述离子源继续产生等离子体,避免打开真空室进行维护,从而提高产能。
搜索关键词: 离子源 以及 离子 注入 装置
【主权项】:
一种离子源,所述离子源具有一真空室,所述真空室包括一等离子体形成容器,所述等离子体形成容器包括:两个相对的侧面;第一阴极,设置在所述等离子体形成容器的一侧面中,用于放出电子;第一旁热式阴极,所述第一阴极放出的电子碰撞所述第一旁热式阴极后,进入所述等离子体形成容器;第二阴极,设置在所述等离子体形成容器的另一侧面中,用于放出电子;第二旁热式阴极,所述第二阴极放出的电子碰撞所述第二旁热式阴极后,进入所述等离子体形成容器;当所述第一旁热式阴极放出电子时,所述第二阴极不通电,所述第二旁热式阴极反射电子;当所述第二旁热式阴极放出电子时,所述第一阴极不通电,所述第一旁热式阴极反射电子。
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