[发明专利]浮栅及其形成方法、闪存单元及其形成方法有效
| 申请号： | 201310365627.2 | 申请日： | 2013-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN104425226B | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | 陈勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423;H01L27/11521 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种浮栅及其形成方法、闪存单元及其形成方法，所述浮栅的形成方法包括提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅介质层；在所述栅介质层上形成浮栅层；在所述浮栅层掺入氟离子；进行退火处理。本发明提供的浮栅的形成方法通过在所述浮栅层掺入氟离子，并进行退火处理激活所述氟离子，使所述氟离子与位于多晶硅晶界处的活跃硅原子发生反应，达到钝化晶界处硅原子的效果，从而提高后续利用所述浮栅形成的闪存单元的数据保存性能。 | ||
| 搜索关键词： | 及其 形成 方法 闪存 单元 | ||
【主权项】：
一种浮栅的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅介质层；在所述栅介质层上形成浮栅层；直接在所述浮栅层掺入氟离子；进行退火处理；所述浮栅层的材料为多晶硅；采用原位掺杂的方法在所述浮栅层掺入所述氟离子；所述氟离子的原位掺杂浓度范围为1E17atom/cm3～1E20atom/cm3；在所述退火处理后，所述浮栅层中还包括有游离的氟离子。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310365627.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种IGBT的制造方法
- 下一篇：具有沟槽的半导体衬底的光刻方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
