[发明专利]硅通孔及其形成方法有效
| 申请号： | 201310365827.8 | 申请日： | 2013-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN104425449B | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 郭亮良;黄河;骆凯玲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种硅通孔及其形成方法，所述硅通孔的形成方法，包括提供半导体衬底，所述半导体衬底具有通孔，所述通孔的表面具有绝缘层；在所述通孔中填充满锗化硅。本发明利用锗化硅的良好填充能力，采用锗化硅填充所述通孔，所形成的导电柱内部不出现孔洞，因此所形成的硅通孔电性能稳定，可靠性高。 | ||
| 搜索关键词： | 硅通孔 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种硅通孔的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有有源半导体器件和无源半导体器件，所述半导体衬底具有通孔，所述通孔的表面具有绝缘层；在所述通孔中填充满锗化硅；采用低压化学气相沉积法在所述通孔中填充满所述锗化硅；所述低压化学气相沉积法所采用的气体包括SiH4、GeH4和BCl3；其中SiH4的流量范围控制在15sccm～45sccm，GeH4的流量范围控制在5sccm～15sccm，BCl3的流量范围控制在25sccm～75sccm；所述低压化学气相沉积法包括以下五个过程：所述半导体衬底送入反应腔过程，所述反应腔温度控制在350℃～450℃，时间为10min～20min；反应腔温度稳定过程：控制温度保持在370℃～450℃，时间为5min～10min；恒温反应过程：使温度恒定在370℃～450℃，时间为200min～300min；反应停止过程：继续控制温度在350℃～450℃，时间为10min～20min；所述半导体衬底退出所述反应腔的过程：继续控制温度在350℃～450℃，时间为10～20min。
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