[发明专利]用于低温检测H2的Pd掺杂SnO2纳米线气体传感器及制备方法无效
| 申请号： | 201310366247.0 | 申请日： | 2013-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN103412008A | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 沈岩柏;魏德洲;刘文刚;高淑玲;韩聪;崔宝玉 | 申请（专利权）人： | 东北大学 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12;B81C1/00 |
| 代理公司： | 沈阳东大专利代理有限公司 21109 | 代理人： | 梁焱 |
| 地址： | 110819 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体氧化物气体传感器技术领域，具体涉及一种用于低温检测H2的Pd掺杂SnO2纳米线气体传感器及制备方法。本发明包括一个覆有叉指铂金电极的氧化硅基板和气敏感应层，所述的气敏感应层是由Pd掺杂的SnO2纳米线分散而成，其中Pd与SnO2纳米线的质量比为1：（15～468）。其制备方法是首先利用热蒸发法制备SnO2纳米线，然后将SnO2纳米线分散到覆有叉指铂金电极的氧化硅基板上形成SnO2纳米线感应层，再将PdCl2乙醇溶液分散到SnO2纳米线感应层上，于300～400℃的温度下热处理1h，最终获得Pd掺杂SnO2纳米线气体传感器。本发明在低温工作条件下具有优良的气敏特性，可逆性和重现性好，有效的解决了传统气体传感器在低温区域气敏特性较差的不足。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 低温 检测 sub pd 掺杂 sno 纳米 气体 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于低温检测H2的Pd掺杂SnO2纳米线气体传感器，包括一个覆有叉指铂金电极的氧化硅基板和气敏感应层，其特征在于所述的气敏感应层是由Pd掺杂的SnO2纳米线分散而成，其中Pd与SnO2纳米线的质量比为1：（15～468）。
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